Produk Olahan Kelapa Sawit

Produk Olahan Kelapa Sawit

Semua bagian dari tanaman kelapa sawit (Elaeis guineensis) dapat dimamfaatkan untuk produk – produk yang berguna bagi manusia. Secara umum bagian dari tanaman kelapa sawit dapat dibagi menjadi 4 bagian utama yaitu : daging buah, biji, tandan kosong, dan batang pohon. Berikut jenis – jenis produk olahan yang dapat dibuat dari ke empat bagian utama tersebut.

1. Daging Buah

a. Minyak sawit (crude palm oil)

1. Pangan : Minyak goreng (olein), Margarin, lemak kue, vanaspati, cocoa, butter.

2. Non-pangan : Stearin, sabun, asam lemak, gliserin, detergent, pelumas, plasticier, kosmetika, BBM, Pro-vitamin A, dan pro-vitamin E.

b. Sabut

1. particle board

2. pulp kertas

3. energi

c. Sludge

1. Makanan ternak

2. Sabun

3. Pupuk

2. Biji

a. Inti

1. Minyak Inti (Palm Kernel Oil) : Oleokimia, Minyak Goreng, dan Salad Oil.

2. Bungkil : Makanan Ternak dan Pupuk.

b. Cangkang : Arang, Karbon aktif, Bahan pengisi, Particle board, dan Asap cair.

3. Tandan Kosong

1. Kertas Pulp

2. Particle board

3. pupuk

4. kompos

5. energi

4. Batang Pohon

1. Bahan Konstruksi

2. Pulp

3. Particle board

4. Bahan Kimia

5. Bahan Energi

Sumber:

Mangoensoekarjo, Soepadiyo dan Haryono Semangun. 2008. Manajemen Agrobisnis Kelapa Sawit. Gadjah Mada University Press. Yogyakarta.

Soal Tentang penghantaran logam

Pada suhu 200C diketahui resistivitas tembaga adalah 1,73´10-8 ohm×meter. Hitunglah rerata kecepatan hanyutan elektron di dalam kawat tembaga yang berpenampang melintang 7,85 ´10-7 m2 dan membawa arus 6 A . Berat atom tembaga 63,6 g/g×atom, kerapatan massanya 8,9 g/cm3 Bilangan Avogadro 6,022 atom/g ×atom.

Jawab:

Rapat atom =
na=(rapat massa* Bilangan Avogadro)/(Berat Atom)
=(8,9 g/cm^3 ×6,022× 10^3 at/g.atom)/(63,6 g/(g×atom))
=0,8427×10^3 at/cm^3

Rerata kecepatan drift =
u = J/(en)
= I / (Aen) dengan asumsi ada 1 elektron bebas per 1 atom Cu maka
u = (6A×(C/s)/A)/(7,65×10^(-7) m^2×1,602×(10^(-19) C)/elektron ×8,43 × 10^28 elektorn/m^3 ) u
= 5,67 × 10^(-4) m/s

Konduksi pada semikonduktor yang dicemari (semikonduktor ekstrinsik)

Konduksi pada semikonduktor yang dicemari (semikonduktor ekstrinsik

Dengan penambahan atom-atom penyumbang (donor atom) atau atom-atom penerima (acceptor atoms) dalam jumlah yang kecil, konduktivitas bahan semikonduktor dapat ditingkatkan sangat hebat. Untuk memperhitungkan besarnya akibat dari pencemaran ini kita harus paham secara kuantitatif proses pembangkitan (generation) dan penggabungan kembali (recombination).

Laju pembangkitan g akibat panas (pasang hole-elektron/s×m³) adalah tergantung pada sifat bahan dan merupakan fungsi suhu. Tenaga yang diperlukan oleh satu elektron valensi menjadi elektron bebas, atau tenaga untuk pembangkitan sebuah elektron konduksi  dapat dinyatakan dalam elektron-volt sebagai eV_g .

 Tenaga rerata yang berpadan an dengan suhu T dapat ditulis sebagai kT. Analisis statistik menunjukkan bahwa probabilitas (peluang) bagi satu elektron valensi untuk menerima cukup tenaga untuk menjadi elektron bebas adalah sebanding dengan faktor                ; laju pembangkitan yang sifatnya thermal ini (dan juga laju emisi elektron akibat panas) melibatkan faktor ini, dan, maka sangat tergantung suhu.

Dalam semikonduktor, elektron dan hole yang bebas berpindah-pindah (mobile) cenderung untuk bergabung-kembali (recombination) dan sirna. Laju penggabungan kembali hole dan elektron tergantung kepada kerapatan kedua jenis partikel itu. Jadi laju penggabungan kembali dirumuskan

R= rnp

disini   R= laju penggabungan kembali (pasang hole-elektron/s-m³).

r= konstanta kesebandingan bagi bahan tersebut.

n= konsentrasi elektron bebas (butir/m³)

p= konsentrasi hole

Versi hukum kegiatan-massa ini mengatakan bahwa laju penggabungan kembali adalah tergantung pada banyaknya elemen-elemen bereaksi yang ada.

Pada keadaan seimbang laju pembangkitan dan laju penggabungan kembali adalah persis sama besar

g= R=rnp                            .

Pada kristal murni konsentrasi hole dan elektron secara intrinsik adalah sama.

g= R=rn_ip_i = rn_i²

Bahkan dalam kristal yang sudah dilakukan doping, dimana porsi terbesar adalah atom silikon (atau Ge), laju pembangkitan oleh suhu tetap tidak berubah dari nilai intrinsiknya karena tergantung kepada hole dan elektron bebas yang ada dan bukan tergantung pada banyaknya atom silikon atau germanium. Jadi

np= n_i²

berlaku juga dalam semikonduktor yang telah diberi doping.

Hubungan mendasar yang kedua adalah bahwa dalam keseluruhan kristal muatan listriknya adalah netral. Prakteknya semua atom donor dan aseptor adalah terionisasi pada suhu kamar dan meninggalkan ion positip atau negatip yang  diam (tidak mobile) pada konsentrasi N_d dan N_a. Dan sebagai tambahan masih ada pengangkut muatan negatip dan positip yang mobile. Maka agar tetap netral

p+N_d = n+N_a

Dalam bahan tipe-n yang dibuat dengan cara penambahan atom cemaran donor kepada semikonduktor intrinsik, N_a=0

dan konsentrasi elektron sebagai pengangkut mayoritas

n_n  = p_n +N_d

n_n  @  N_d     

karena dalam kenyataannya N_d >> p_n

Dan konsentrasi hole sebagai pengangkut minoritas dalam tipe-n adalah

Dalam bahan tipe-p  persamaan yang serupa dengan diatas adalah

konsentrasi hole sebagai pengangkut mayoritas dalam tipe-p adalah

p_p @ N_a

dan konsentrasi elektron bebasnya sebagai pengangkut minoritas adalah

(Sumber: Materi Kuliah Listrik dan elektronika dari Pak Handoyo)

rumus konduktivitas Semikonduktor Intrinsik

Perumusan konduktivitas Semikonduktor Intrinsik

Berbeda dengan pada logam yang pengangkut muatannya hanya elektron saja, pada semikonduktor intrinsik ini mempunya dua jenis pengangkut muatan yaitu elektron dan hole yang banyaknya sama, tapi berbeda jenis muatannya dan mobilitasnya.

Jadi arus total adalah I = I_e + I_h

Jadi arus total I = e(n m_e + p m_h)E A

                            = n_i e (m_e  + m_h) E A     karena n = p  = n_i  pada jenis intrinsik

                            = n_i e ( m_e +m_h )E A

Karena E = V/l maka I = n_i e (m_e +m_h)VA/l

                                   R = V/I = (l/A) ( 1/ (n_i e(m_e+m_h )) = r l/A

                                   r = 1/(n_i e( m_e + m_h ))   ohm-m

                                   s_i = n_i e ( m_e + m_h)       S/m

Rapat arus                  J= I/A= n_i e( m_i + m_h ) E= s_i E

Pengaruh suhu pada semikonduktor : makin tinggi suhu, makin banyak partikel pengangkut muatan n_i dan p_i , sehingga makin besar konduktivitas dan makin kecil resistivitas.

Simbol n =  banyaknya elektron bebas intrinsik per volume

p  = banyaknya hole intrinsik per satuan volume

n_i  = banyaknya pasangan hole-elektron intrinsik per volume

m_e dan m_h masing-masing adalah mobilitas elektron dan hole

Tabel 1.  Sifat-sifat Silicon dan Germanium  murni pada suhu 300 K (27^oC)

Catatan: Bilangan Avogadro    = 6,022 ´ 10²³  atom/g-atom

                Muatan elektron = 1,602 ´ 10¹⁹ Coulomb/butir elektron

Soal penghantaran logam

Pada suhu 200C diketahui resistivitas tembaga adalah 1,73´10-8 ohm×meter. Hitunglah rerata kecepatan hanyutan elektron di dalam kawat tembaga yang berpenampang melintang 7,85 ´10-7 m2 dan membawa arus 6 A . Berat atom tembaga 63,6 g/g×atom, kerapatan massanya 8,9 g/cm3 Bilangan Avogadro 6,022 atom/g ×atom.

Jawab:

Rapat atom =
na=(rapat massa* Bilangan Avogadro)/(Berat Atom)
=(8,9 g/cm^3 ×6,022× 10^3 at/g.atom)/(63,6 g/(g×atom))
=0,8427×10^3 at/cm^3

Rerata kecepatan drift =
u = J/(en)
= I / (Aen) dengan asumsi ada 1 elektron bebas per 1 atom Cu maka
u = (6A×(C/s)/A)/(7,65×10^(-7) m^2×1,602×(10^(-19) C)/elektron ×8,43 × 10^28 elektorn/m^3 ) u
= 5,67 × 10^(-4) m/s